Перейти к содержимому


Хабр -> Российские учёные нашли путь к созданию электроники нового типа


  • Вы не можете ответить в тему
В этой теме нет ответов

#1 bot

    Бот

  • Модераторы
  • 7 318 сообщений

Отправлено 17 Март 2023 - 22:07

Сотрудники Московского физико-технического института (МФТИ), изучавшие свойства широко исследуемого в мире материала — двухслойного графена, нашли путь к возможному созданию электронных приборов нового типа — быстродействующих энергоэффективных переключателей, химических и биологических сенсоров, а также детекторов излучения, которые невозможно было создать на обычных полупроводниках. Работа выполнена при грантовой поддержке Российского научного фонда и Минобрнауки РФ. Результаты исследования опубликованы в ведущем профильном международном научном журнале Nano Letters.

Основой всей современной полупроводниковой электроники является так называемый p-n-переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости. Для электронов такой переход является энергетическим барьером. Наличие ступенчатого барьера для электронов в p-n-переходе определяет его главную функцию в электронике: этот переход является односторонним, ток в нем может течь лишь при одной полярности поданного напряжения.

В 1960-е годы обнаружилось, что p-n-переходы могут проводить ток и благодаря эффекту квантового туннелирования — «просачиванию» электронов под энергетическим барьером. Подобным приборам — туннельным диодам — нашлось применение в электронике с низким энергопотреблением.
Читать дальше →